N-Channel MOSFET, 5.5 A, 25 V, 3-Pin SOT-223 STN6N60M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2925 шт., срок 8 недель
970 ֏
Кратность заказа 25 шт.
25 шт.
на сумму 24 250 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.25 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Series | STN6N60M2 |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | STMicroelectronics |
| Размер фабричной упаковки: | 4000 |
| Технология: | Si |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Торговая марка: | STMicroelectronics |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet STN6N60M2
pdf, 246 КБ
Datasheet STN6N60M2
pdf, 258 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
| HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
