N-Channel MOSFET, 33 A, 600 V, 3-Pin TO-220 STO67N60DM6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

60 шт., срок 8 недель

12 700 ֏

Кратность заказа 2 шт.

2 шт. на сумму 25 400 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8014539690

Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series.

Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	33 A
Maximum Drain Source Resistance	59 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	600 V
Maximum Gate Threshold Voltage	25V
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	STO67N60DM6
Transistor Material	Si
Категория продукта	МОП-транзистор
Подкатегория	MOSFETs
Размер фабричной упаковки	1800
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Торговая марка	STMicroelectronics
Drain Source On State Resistance	0.048Ом
Power Dissipation	150Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh DM6
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	33А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	4В
Рассеиваемая Мощность	150Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.048Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-LL HV
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	1