N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD11N60M6
![Фото 1/3 N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD11N60M6](https://static.chipdip.ru/lib/855/DOC024855141.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172378.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/244/DOC047244172.jpg)
950 шт., срок 8 недель
3 080 ֏
Кратность заказа 10 шт.
10 шт.
на сумму 30 800 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 8 A |
Maximum Drain Source Resistance | 0.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Pin Count | 3 |
Series | STD11N60M6 |
Transistor Material | Si |
Drain Source On State Resistance | 0.5Ом |
Power Dissipation | 90Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh M6 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 8А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.5Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 354 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 11 сентября1 | бесплатно |
HayPost | 15 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг