Dual N-Channel MOSFET, 45 A, 650 V, 7-Pin H2PAK-7 SCTH35N65G2V-7AG
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
46 шт., срок 7 недель
27 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 27 200 ֏
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.067 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | H2PAK-7 |
| Pin Count | 7 |
| Transistor Material | Si |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SCTH35N65G2V-7AG
pdf, 375 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 21 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 25 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
