Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD2HNK60Z-1, MOSFET силовой транзистор - ...

STD2HNK60Z-1, MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 2 А, Rси(вкл): 4.8 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

27 шт., срок 7-8 недель

1 520 ֏

от 10 шт. — 1 120 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 520 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014886928

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание MOSFET силовой транзистор - [TO-251-3], Тип: N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 2 А, Rси(вкл): 4.8 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Uзатв(макс): 30 В

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	2 A
Pd - рассеивание мощности	45 W
Qg - заряд затвора	11 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.8 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
Vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.75 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	30 ns
Время спада	50 ns
Высота	6.2 mm
Длина	6.6 mm
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	SuperMESH
Конфигурация	Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.	1.5 S
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	STD2HNK60Z-1
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	13 ns
Типичное время задержки при включении	10 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-251-3
Ширина	2.4 mm
Base Product Number	STD2HNK60 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
ECCN	EAR99
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
HTSUS	8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	280pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Through Hole
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Other Related Documents	http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package	Tube
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.8Ohm @ 1A, 10V
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package	I-PAK
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 50ВµA
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Maximum Continuous Drain Current (A)	2
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)	4800@10V
Maximum Drain Source Voltage (V)	600
Maximum Gate Source Voltage (V)	±30
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	45000
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tube
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Process Technology	SuperMESH
Product Category	Power MOSFET
Standard Package Name	TO-251
Supplier Package	IPAK
Supplier Temperature Grade	Industrial
Tab	Tab
Typical Fall Time (ns)	50
Typical Gate Charge @ 10V (nC)	11
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)	11@10V
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)	280@25V
Typical Rise Time (ns)	30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)	13
Typical Turn-On Delay Time (ns)	10
Вес, г	1.31