STF7NM60N, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 3А, 20Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
50 шт., срок 7-8 недель
1 290 ֏
от 10 шт. —
980 ֏
от 30 шт. —
900 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 290 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ ||, полевой, 600В, 3А, 20Вт, TO220FP Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 20 W |
| Qg - заряд затвора | 12 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 900 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF7NM60N |
| Технология | Si |
| Тип | Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Base Product Number | STF7 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 363pF @ 50V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-5 Full Pack |
| Power Dissipation (Max) | 20W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 2.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | MDmeshв„ў II -> |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 2.43 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
