Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STP140N8F7, Транзистор N-МОП, полевой ...

STP140N8F7, Транзистор N-МОП, полевой, 80В 90A 200Вт 0,0043Ом TO220

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

3 шт., срок 7-8 недель

2 800 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 800 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014887434

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 80В 90A 200Вт 0,0043Ом TO220

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	90 A
Pd - рассеивание мощности	200 W
Qg - заряд затвора	96 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	4.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	80 V
Vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	4.5 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	51 ns
Время спада	44 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	STripFET
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STP140N8F7
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	82 ns
Типичное время задержки при включении	26 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	90 A
Maximum Drain Source Resistance	4.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	80 V
Maximum Gate Source Voltage	-20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4.5V
Maximum Operating Temperature	+175 °C
Maximum Power Dissipation	200 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2.5V
Minimum Operating Temperature	-55 °C
Mounting Type	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Package Type	TO-220
Pin Count	3
Series	STripFET H7
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	96 nC @ 10 V
Width	4.6mm
Вес, г	2