STD6NK50ZT4, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 3,5А, 90Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-8 недель
2 670 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 670 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 3,5А, 90Вт, DPAK Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 5.6A |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1.2Ω@10V, 2.8A |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 500V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4.5V@50uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 690pF@25V |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 90W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24.6nC@10V |
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.48 |
Техническая документация
Datasheet STD6NK50ZT4
pdf, 399 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
