STF8N80K5, MOSFET транзистор TO-220FP

STF8N80K5, MOSFET транзистор TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 шт., срок 7-8 недель
1 690 ֏
от 10 шт.1 160 ֏
от 50 шт.910 ֏
от 100 шт.760 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 690 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8014887933
Бренд: STMicroelectronics

Описание

800V 6A 950mΩ@10V,3A 25W 5V@100uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

Технические параметры

Continuous Drain Current (Id) 6A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) 950mΩ@10V, 3A
Drain Source Voltage (Vdss) 800V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) 5V@100uA
Power Dissipation (Pd) 25W
Type N Channel
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 1000
Fall Time: 20 ns
Id - Continuous Drain Current: 6 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 25 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 16.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 950 mOhms
Rise Time: 14 ns
Series: STF8N80K5
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 32 ns
Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Вес, г 2.3

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1125 КБ
Datasheet
pdf, 1106 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг