STF8N80K5, MOSFET транзистор TO-220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
170 шт., срок 7-8 недель
1 690 ֏
от 10 шт. —
1 160 ֏
от 50 шт. —
910 ֏
от 100 шт. —
760 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 690 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
800V 6A 950mΩ@10V,3A 25W 5V@100uA N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 6A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 950mΩ@10V, 3A |
Drain Source Voltage (Vdss) | 800V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@100uA |
Power Dissipation (Pd) | 25W |
Type | N Channel |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 20 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 25 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 16.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 950 mOhms |
Rise Time: | 14 ns |
Series: | STF8N80K5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг