STP4N80K5, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
9 шт., срок 7-8 недель
1 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 600 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
МОП-транзистор N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 3 A |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Qg - заряд затвора | 10.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.1 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 15 ns |
Время спада | 21 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STP4N80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 36 ns |
Типичное время задержки при включении | 16.5 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 21 ns |
Id - Continuous Drain Current | 3 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-220-3 |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 60 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 10.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 2.1 Ohms |
Rise Time | 15 ns |
RoHS | Details |
Series | MDmesh K5 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 16.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
Maximum Drain Source Resistance | 2.5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Power Dissipation | 60 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1294 КБ
Datasheet
pdf, 1269 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet STP4N80K5
pdf, 1290 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг