Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF9N60M2, Транзистор: N-MOSFET

STF9N60M2, Транзистор: N-MOSFET

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

50 шт., срок 7-8 недель

1 470 ֏

от 10 шт. — 1 030 ֏

от 50 шт. — 790 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 470 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8014889748

Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-CH 600V 0.72Ohm 55A MDMesh M2

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	5.5 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	780 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	7.5 ns
Время спада	13.5 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF9N60M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22 ns
Типичное время задержки при включении	8.8 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.72Ом
Power Dissipation	20Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh II Plus
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	600В
Непрерывный Ток Стока	5.5А
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	20Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.72Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Вес, г	1