STF25N60M2-EP, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 7-8 недель
2 050 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 050 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
N-канал, 600 В, 18 А (Tc), 30 Вт (Tc), сквозное отверстие, TO-220FP
Технические параметры
Base Product Number | STF25 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 188mOhm @ 9A, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | MDmeshв„ў M2-EP -> |
Supplier Device Package | TO-220FP |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±25V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250ВµA |
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.175Ом |
Power Dissipation | 30Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh M2 |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 18А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.175Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 16 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 30 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 29 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 188 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Series: | STF25N60M2-EP |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 61 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг