STF15N65M5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 6,9А, 25Вт, TO220FP
![Фото 1/4 STF15N65M5, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 6,9А, 25Вт, TO220FP](https://static.chipdip.ru/lib/786/DOC043786643.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/700/DOC021700575.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/151/DOC012151638.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/478/DOC021478587.jpg)
5 шт., срок 7-8 недель
2 400 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 6,9А, 25Вт, TO220FP Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 11A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 340mΩ@5.5A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 816pF@100V |
Power Dissipation (Pd) | 30W |
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
Type | null |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
Maximum Drain Source Resistance | 340 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 25 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220FP |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh M5 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 1.68 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг