STF12NK60Z, TO-220FP MOSFETs

STF12NK60Z, TO-220FP MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-8 недель
1 960 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 960 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015768610
Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-Ch 600 V 0.53 Ohm Zener SuperMESH 10A

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 10 A
Pd - рассеивание мощности 35 W
Qg - заряд затвора 59 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 640 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 18.5 ns
Время спада 31.5 ns
Высота 9.3 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение SuperMESH
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 9 S
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STF12NK60Z
Технология Si
Тип Power MOSFET
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 55 ns
Типичное время задержки при включении 22.5 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.6 mm
Base Product Number STF12 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 10A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
ECCN EAR99
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 59nC @ 10V
HTSUS 8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1740pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Other Related Documents http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL
Package Tube
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 640mOhm @ 5A, 10V
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series SuperMESHв„ў ->
Supplier Device Package TO-220FP
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) В±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100ВµA
RoHS Подробности
Напряжение пробоя затвор-исток +/-30 V
Напряжение пробоя сток-исток 600 V
Непрерывный ток стока 10 A
Производитель STMicroelectronics
Рассеяние мощности 35 W
Сопротивление сток-исток 640 mOhms
Вес, г 2.41

Техническая документация

Datasheet STF12NK60Z
pdf, 816 КБ
Datasheet STF12NK60Z
pdf, 833 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг