Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD13N65M2, TO-252-3 MOSFETs

STD13N65M2, TO-252-3 MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

5 шт., срок 7-8 недель

2 090 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 090 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8015769493

Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in DPAK package

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	110 W
Qg - заряд затвора	17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	370 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	7.8 ns
Время спада	12 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	STD13N65M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	38 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-252-3
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Forward Diode Voltage	1.6V
Maximum Continuous Drain Current	10 A
Maximum Drain Source Resistance	430 mΩ
Maximum Drain Source Voltage	650 V
Maximum Gate Source Voltage	-25 V, +25 V
Maximum Gate Threshold Voltage	4V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	110 W
Minimum Gate Threshold Voltage	2V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	DPAK(TO-252)
Pin Count	3
Series	MDmesh M2
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	17 nC @ 10 V
Width	6.2mm
Вес, г	0.91