Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF13N65M2, TO-220FP MOSFETs ROHS

STF13N65M2, TO-220FP MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

807 шт., срок 7-8 недель

1 250 ֏

от 10 шт. — 850 ֏

от 50 шт. — 720 ֏

от 100 шт. — 620 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 250 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8015777675

Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки	10 A
Pd - рассеивание мощности	25 W
Qg - заряд затвора	17 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	370 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	7.8 ns
Время спада	12 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Коммерческое обозначение	MDmesh
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STF13N65M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	38 ns
Типичное время задержки при включении	11 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка / блок	TO-220FP-3
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.37Ом
Power Dissipation	25Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	MDmesh M2
Монтаж транзистора	Through Hole
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	650В
Непрерывный Ток Стока	10А
Пороговое Напряжение Vgs	3В
Рассеиваемая Мощность	25Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.37Ом
Стиль Корпуса Транзистора	TO-220FP
Вес, г	2.43