STP80NF55, TO-220 MOSFETs
![STP80NF55, TO-220 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515026.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
65 шт., срок 7-8 недель
3 650 ֏
от 10 шт. —
2 540 ֏
от 30 шт. —
2 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 80 A |
Pd - рассеивание мощности | 300 W |
Qg - заряд затвора | 189 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 55 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 155 ns |
Время спада | 65 ns |
Высота | 15.75 mm |
Длина | 10.4 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 150 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | STB80NF55, STP80NF55 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 125 ns |
Типичное время задержки при включении | 27 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Ширина | 4.6 mm |
Вес, г | 2.75 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 423 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг