STP80NF55, TO-220 MOSFETs

STP80NF55, TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
65 шт., срок 7-8 недель
3 650 ֏
от 10 шт.2 540 ֏
от 30 шт.2 230 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 3 650 ֏
Альтернативные предложения2
Номенклатурный номер: 8015787241
Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор LGS LV МОП-транзистор

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 80 A
Pd - рассеивание мощности 300 W
Qg - заряд затвора 189 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 55 V
Vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 155 ns
Время спада 65 ns
Высота 15.75 mm
Длина 10.4 mm
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Конфигурация Single
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. 150 S
Максимальная рабочая температура + 175 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STB80NF55, STP80NF55
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 125 ns
Типичное время задержки при включении 27 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Ширина 4.6 mm
Вес, г 2.75

Техническая документация

Datasheet
pdf, 423 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг