STU3N80K5, 800V 2.5A 2.8-@10V,1A 60W 4V@100uA 0.6pF@100V N Channel 130pF@100V 9.5nC@0~10V -55-~+150-@(Tj) TO-251(I-PAK) MOSFETs
![STU3N80K5, 800V 2.5A 2.8-@10V,1A 60W 4V@100uA 0.6pF@100V N Channel 130pF@100V 9.5nC@0~10V -55-~+150-@(Tj) TO-251(I-PAK) MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/530/DOC006530250.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 7-8 недель
890 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 890 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protected
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 2.5 A |
Pd - рассеивание мощности | 60 W |
Qg - заряд затвора | 9.5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 7.5 ns |
Время спада | 25 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | STU3N80K5 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 20.5 ns |
Типичное время задержки при включении | 8.5 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-251-3 |
Вес, г | 0.8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 861 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг