STP50N60DM6, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6 шт., срок 7-8 недель
7 100 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 7 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Стандартные продукты
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Id - Continuous Drain Current: | 36 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 250 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 55 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.75 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.75V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-LL-HV |
Pin Count | 8 |
Series | STP50N60DM6 |
Transistor Material | Si |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 257 КБ
Datasheet STP50N60DM6
pdf, 269 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг