STFU9N65M2, 650V 5A 790m-@10V,2.5A 20W 3V@250uA 0.9pF@100V N Channel 310pF@100V 10.3nC@0~10V -55-~+150-@(Tj) TO-220FP- 3UltraNarrowLeads MOS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

15 шт., срок 7-8 недель

1 830 ֏

от 10 шт. — 1 250 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 830 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8015801039

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Id - непрерывный ток утечки	5 A
Pd - рассеивание мощности	20 W
Qg - заряд затвора	10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток	790 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток	650 V
Vgs - напряжение затвор-исток	25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
Вид монтажа	Through Hole
Время нарастания	6.6 ns
Время спада	18 ns
Канальный режим	Enhancement
Категория продукта	МОП-транзистор
Количество каналов	1 Channel
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Минимальная рабочая температура	55 C
Подкатегория	MOSFETs
Полярность транзистора	N-Channel
Размер фабричной упаковки	1000
Серия	STFU9N65M2
Технология	Si
Тип продукта	MOSFET
Тип транзистора	1 N-Channel
Типичное время задержки выключения	22.5 ns
Типичное время задержки при включении	7.5 ns
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-220-3
Вес, г	2.32