STB8NM60T4, TO-263-3 MOSFETs
![STB8NM60T4, TO-263-3 MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367935.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 7-8 недель
2 400 ֏
от 10 шт. —
1 740 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 400 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
650V 8A 1Ω@2.5A,10V 100W 5V@250uA null D2PAK MOSFETs ROHS
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 8A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@2.5A, 10V |
Drain Source Voltage (Vdss) | 650V |
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 5V@250uA |
Input Capacitance (Ciss@Vds) | 400pF@25V |
Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
Power Dissipation (Pd) | 100W |
Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18nC@10V |
Type | null |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 10 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 8 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 100 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 18 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 900 mOhms |
Rise Time: | 10 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 23 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг