STD10NF30, TO-252-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт., срок 7-8 недель
2 180 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 180 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 103 W |
| Qg - заряд затвора | 23 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 330 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 300 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MESH OVERLAY |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STD10NF30 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet STD10NF30
pdf, 381 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
