STL19N60M2, PowerFLAT8x8HV MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
19 шт., срок 7-8 недель
4 180 ֏
от 10 шт. —
3 340 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 180 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
• 600V, 11A N-channel MDmesh M2 power MOSFET in a 5 pin PowerFLAT 8x8 HV package
• Extremely low gate charge
• Excellent output capacitance (COSS) profile
• 100% avalanche tested
• Zener protected
• Suitable for switching applications
• Exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics
• Suitable for the most demanding high efficiency converters
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.278Ом |
| Power Dissipation | 90Вт |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 90Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.278Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerFLAT |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 624 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
