STP40NF03L, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт., срок 7-8 недель
800 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 800 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
The STP40NF03L is a STripFET™ N-channel Power MOSFET developed using unique Single Feature Size™ strip-based process. The device has extremely high packing density for low ON-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
• Low threshold device
• -55 to 175°C Operating junction temperature range
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.022Ом |
| Power Dissipation | 70Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 70Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.022Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 16 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 20 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 18 mOhms |
| Rise Time: | 80 ns |
| Series: | STP40NF03L |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | STripFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 414 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
