STP13NM60ND, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
33 шт., срок 7-8 недель
3 650 ֏
от 10 шт. —
2 890 ֏
от 30 шт. —
2 530 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 650 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
N-канал 600V 11A (Tc) 109W (Tc) сквозное отверстие TO-220
Технические параметры
| Base Product Number | STP13 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 11A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.5nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 845pF @ 50V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 109W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 5.5A, 10V |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | FDmeshв„ў II -> |
| Supplier Device Package | TO-220 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250ВµA |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.32Ом |
| Power Dissipation | 109Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | FDmesh II |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 109Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.32Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Brand | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 15.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 11 A |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Packaging | Tube |
| Pd - Power Dissipation | 109 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 24.5 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
| Rise Time | 10 ns |
| RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 9.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 46.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
