STGB20M65DF2, 166W -55-~+175-@(Tj) 40A 650V Trench Field Stop 80A 0.56mJ 0.14mJ D2PAK IGBTs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1072 шт., срок 5-6 недель
2 290 ֏
от 10 шт. —
1 500 ֏
от 30 шт. —
1 290 ֏
от 100 шт. —
1 070 ֏
1 шт.
на сумму 2 290 ֏
Альтернативные предложения1
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 40 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 uA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 166 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGB20M65DF2 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 1.61 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 659 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
