STQ2LN60K3-AP, 600V 600mA 2.5W 4.5-@1A,10V 4.5V@50uA N Channel 235pF@50V 12nC@10V +150-@(Tj) TO-92-3 MOSFETs ROHS
![STQ2LN60K3-AP, 600V 600mA 2.5W 4.5-@1A,10V 4.5V@50uA N Channel 235pF@50V 12nC@10V +150-@(Tj) TO-92-3 MOSFETs ROHS](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514956.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-8 недель
760 ֏
от 10 шт. —
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 760 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
МОП-транзистор N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 600 mA |
Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
Qg - заряд затвора | 12 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 8.5 ns |
Время спада | 21 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | MDmesh |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2000 |
Серия | STQ2LN60K3-AP |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 23.5 ns |
Типичное время задержки при включении | 10 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка | Ammo Pack |
Упаковка / блок | TO-92-3 |
Вес, г | 0.2 |
Техническая документация
Datasheet STQ2LN60K3-AP
pdf, 460 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг