STQ2LN60K3-AP, 600V 600mA 2.5W 4.5-@1A,10V 4.5V@50uA N Channel 235pF@50V 12nC@10V +150-@(Tj) TO-92-3 MOSFETs ROHS

STQ2LN60K3-AP, 600V 600mA 2.5W 4.5-@1A,10V 4.5V@50uA N Channel 235pF@50V 12nC@10V +150-@(Tj) TO-92-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
25 шт., срок 7-8 недель
760 ֏
от 10 шт.489 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 760 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8015932858
Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 600 mA
Pd - рассеивание мощности 2.5 W
Qg - заряд затвора 12 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 4.5 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 8.5 ns
Время спада 21 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 2000
Серия STQ2LN60K3-AP
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Типичное время задержки выключения 23.5 ns
Типичное время задержки при включении 10 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Ammo Pack
Упаковка / блок TO-92-3
Вес, г 0.2

Техническая документация

Datasheet STQ2LN60K3-AP
pdf, 460 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг