Транзистор полевой STB14NK50ZT4
![Фото 1/5 Транзистор полевой STB14NK50ZT4](https://static.chipdip.ru/lib/451/DOC004451653.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367934.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763328.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/095/DOC003095843.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763336.jpg)
93 шт., срок 4 недели
489 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 489 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)
Стандартные продуктыСтандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.
Технические параметры
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 12 ns |
Forward Transconductance - Min | 12 S |
Height | 4.6 mm |
Id - Continuous Drain Current | 14 A |
Length | 10.4 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Cut Tape |
Pd - Power Dissipation | 150 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 69 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 380 mOhms |
Rise Time | 16 ns |
RoHS | Details |
Series | STB14NK50Z |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time | 54 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 24 ns |
Unit Weight | 0.139332 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
Width | 9.35 mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 12 ns |
Forward Transconductance - Min: | 12 S |
Id - Continuous Drain Current: | 14 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-263-3 |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 92 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 380 mOhms |
Rise Time: | 16 ns |
Series: | STB14NK50Z |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Type: | MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 54 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 14 A |
Maximum Drain Source Resistance | 380 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Power Dissipation | 150 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | D2PAK(TO-263) |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 69 nC @ 10 V |
Вес, г | 1.2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 29 июля1 | бесплатно |
HayPost | 1 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг