STB24N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150Вт 0,19Ом D Pak
![Фото 1/3 STB24N60M2, Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150Вт 0,19Ом D Pak](https://static.chipdip.ru/lib/220/DOC038220279.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/367/DOC012367934.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/521/DOC021521307.jpg)
10 шт., срок 7-8 недель
5 600 ֏
от 10 шт. —
4 850 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В 18A 150Вт 0,19Ом DІPak
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.168Ом |
Power Dissipation | 150Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh II Plus |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
Непрерывный Ток Стока | 18А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
Рассеиваемая Мощность | 150Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.168Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-262 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 61 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 29 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 190 mOhms |
Rise Time: | 9 ns |
Series: | STB24N60M2 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Brand | STMicroelectronics |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 61 ns |
Id - Continuous Drain Current | 18 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-263-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 150 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 29 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 190 mOhms |
Rise Time | 9 ns |
RoHS | Details |
Series | MDmesh M2 |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 15 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
Вес, г | 2 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг