STF18N60M2
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 шт. с центрального склада, срок 3 недели
2 200 ֏
от 2 шт. —
1 980 ֏
1 шт.
на сумму 2 200 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 600V, 13A, TO-220FP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.255ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Po
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 13A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21.5nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 791pF @ 100V |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 25W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Series | MDmeshв(ў II Plus |
| Standard Package | 50 |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 13 A |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Qg - заряд затвора | 21.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 255 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 9 ns |
| Время спада | 10.6 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | STF18N60M2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 47 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Вес, г | 2.3 |
Техническая документация
Datasheet STF18N60M2
pdf, 491 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
