STGW20V60DF, Транзистор БТИЗ, 600В 40A TO-247 Tube

Фото 1/4 STGW20V60DF, Транзистор БТИЗ, 600В 40A TO-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
31 шт., срок 8 недель
4 670 ֏
от 3 шт.4 090 ֏
от 10 шт.3 180 ֏
от 30 шт.2 610 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 4 670 ֏
Альтернативные предложения4
Номенклатурный номер: 8017308180
Бренд: STMicroelectronics

Описание

IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W сквозное отверстие TO-247

Технические параметры

Base Product Number STGW20 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
ECCN EAR99
Gate Charge 116nC
HTSUS 8541.29.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case TO-247-3
Power - Max 167W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 40ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package TO-247
Switching Energy 200ВµJ (on), 130ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 38ns/149ns
Test Condition 400V, 20A, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 20A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Collector Emitter Saturation Voltage 1.8В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 40А
Power Dissipation 167Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции V
Максимальная Рабочая Температура 175 C
Стиль Корпуса Транзистора TO-247
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 2.3 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 40 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 600
Gate-Emitter Leakage Current: 250 nA
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, +20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-247
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 167 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Series: STGW20V60DF
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Channel Type N
Maximum Collector Emitter Voltage 600 V
Maximum Continuous Collector Current 40 A
Maximum Gate Emitter Voltage ±20V
Maximum Operating Temperature +175 °C
Maximum Power Dissipation 167 W
Minimum Operating Temperature -55 °C
Package Type TO-247
Pin Count 3
Switching Speed 1MHz
Transistor Configuration Single
Вес, г 4.58

Техническая документация

Datasheet
pdf, 2084 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2086 КБ
Datasheet STGW20V60DF
pdf, 2064 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 23 августа1 бесплатно
HayPost 27 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг