STGW20V60DF, Транзистор БТИЗ, 600В 40A TO-247 Tube
![Фото 1/4 STGW20V60DF, Транзистор БТИЗ, 600В 40A TO-247 Tube](https://static.chipdip.ru/lib/171/DOC012171489.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770963.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/770/DOC016770971.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/065/DOC027065793.jpg)
31 шт., срок 8 недель
4 670 ֏
от 3 шт. —
4 090 ֏
от 10 шт. —
3 180 ֏
от 30 шт. —
2 610 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 670 ֏
Альтернативные предложения4
Описание
IGBT Trench Field Stop 600V 40A 167W сквозное отверстие TO-247
Технические параметры
Base Product Number | STGW20 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 40A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 80A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 116nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 167W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 40ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-247 |
Switching Energy | 200ВµJ (on), 130ВµJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 38ns/149ns |
Test Condition | 400V, 20A, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.8В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 40А |
Power Dissipation | 167Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | V |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.3 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 40 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 600 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, +20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 167 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | STGW20V60DF |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Channel Type | N |
Maximum Collector Emitter Voltage | 600 V |
Maximum Continuous Collector Current | 40 A |
Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 167 W |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Switching Speed | 1MHz |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 4.58 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2084 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 2086 КБ
Datasheet STGW20V60DF
pdf, 2064 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 23 августа1 | бесплатно |
HayPost | 27 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг