Транзистор полевой STH3N150-2

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

302 шт., срок 4 недели

6 200 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 6 200 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8017377723

Транзисторы\Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

1.5kV 2.5A 140W 9Ω@10V,1.3A 5V@250uA N Channel H2PAK-2 MOSFETs ROHS

Continuous Drain Current (Id)	2.5A
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	9Ω@10V, 1.3A
Drain Source Voltage (Vdss)	1.5kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	939pF@25V
Power Dissipation (Pd)	140W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	29.3nC@10V
Type	N Channel
Channel Mode	Enhancement
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	2.5 A
Maximum Drain Source Resistance	9 Ω
Maximum Drain Source Voltage	1500 V
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	140 W
Minimum Gate Threshold Voltage	3V
Mounting Type	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Package Type	H2PAK-2
Pin Count	3
Series	MDmesh
Transistor Configuration	Single
Transistor Material	Si
Typical Gate Charge @ Vgs	29.3 nC @ 10 V
Width	15.8mm
Вес, г	1.7