Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STT6N3LLH6, Транзистор: N-MOSFET; полевой ...

STT6N3LLH6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,75А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOT23-6

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

587 шт., срок 7-8 недель

670 ֏

от 10 шт. — 409 ֏

от 30 шт. — 347 ֏

от 100 шт. — 293 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 670 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8017542020

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 3,75А; Idm: 24А; 1,6Вт; SOT23-6

Технические параметры

кол-во в упаковке	3000
Base Part Number	STT6N
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	6A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	283pF @ 24V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C(TJ)
Package / Case	SOT-23-6
Packaging	Cut Tape(CT)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	1.6W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25mOhm @ 3A, 10V
Series	DeepGATEв(ў, STripFETв(ў VI
Supplier Device Package	SOT-23-6
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250ВµA
Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance	0.021Ом
Power Dissipation	1.6Вт
Количество Выводов	6вывод(-ов)
Линейка Продукции	STripFET VI DeepGATE
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on)	10В
Напряжение Истока-стока Vds	30В
Непрерывный Ток Стока	6А
Полярность Транзистора	N Канал
Пороговое Напряжение Vgs	1В
Рассеиваемая Мощность	1.6Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)	0.021Ом
Стиль Корпуса Транзистора	SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Вес, г	0.03