STD5N20LT4, Транзистор MOSFET TO252
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2679 шт., срок 7-8 недель
1 690 ֏
от 10 шт. —
1 070 ֏
от 30 шт. —
870 ֏
от 100 шт. —
690 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 690 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
Описание Транзистор MOSFET TO252
Технические параметры
Continuous Drain Current (Id) | 4A |
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
Drain Source Voltage (Vdss) | 200V |
Type | N Channel |
Id - непрерывный ток утечки | 5 A |
Pd - рассеивание мощности | 33 W |
Qg - заряд затвора | 5 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 700 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 21.5 ns |
Время спада | 15.5 ns |
Высота | 2.4 mm |
Длина | 6.6 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | STripFET |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 6.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | STD5N20L |
Технология | Si |
Тип | MOSFET |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel MOSFET |
Типичное время задержки выключения | 14 ns |
Типичное время задержки при включении | 11.5 ns |
Торговая марка | STMicroelectronics |
Упаковка / блок | TO-252-3 |
Ширина | 6.2 mm |
Brand | STMicroelectronics |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 15.5 ns |
Forward Transconductance - Min | 6.5 S |
Height | 2.4 mm |
Id - Continuous Drain Current | 5 A |
Length | 6.6 mm |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 33 W |
Product Category | MOSFET |
Rds On - Drain-Source Resistance | 650 mOhms |
Rise Time | 21.5 ns |
RoHS | Details |
Series | STD5N20L |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 11.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Width | 6.2 mm |
Вес, г | 0.53 |
Техническая документация
Datasheet STD5N20LT4
pdf, 268 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг