SCTWA35N65G2V-4, 45A 240W HiP-247-4 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 шт., срок 5-6 недель
30 800 ֏
1 шт.
на сумму 30 800 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Silicon Carbide (SiC) Devices\Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 45 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.067 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HiP247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Material | Silicon |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Power Dissipation | 240Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Непрерывный Ток Стока | 45А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.2В |
| Стиль Корпуса Транзистора | HiP247 |
| Вес, г | 8.6 |
Техническая документация
Datasheet SCTWA35N65G2V-4
pdf, 190 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
