STS6NF20V, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 20В; 3,8А; Idm: 24А; 2,5Вт; SO8
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
275 шт., срок 7-8 недель
980 ֏
от 10 шт. —
630 ֏
от 30 шт. —
510 ֏
от 100 шт. —
427 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 980 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
МОП-транзистор N-Ch 20 Volt 6 Amp
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 6 A |
| Pd - рассеивание мощности | 2.5 W |
| Qg - заряд затвора | 11.5 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 30 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V, + 12 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 600 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 33 ns |
| Время спада | 10 ns |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | STripFET |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | STS6NF20V |
| Технология | Si |
| Тип | MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 27 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | SOIC-8 |
| Ширина | 4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 40 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 2.5 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.6V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOIC |
| Pin Count | 8 |
| Series | STripFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 8.5 nC @ 4.5 V |
| Width | 4mm |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Вес, г | 0.127 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
