SCTWA70N120G2V-4, Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 91A 4-Pin(4+Tab) HIP-247 Tube
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4678 шт., срок 7-9 недель
43 200 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 7 шт. —
41 900 ֏
от 18 шт. —
41 200 ֏
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 172 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
The STMicroelectronics silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 91 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.03 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.9V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HiP247-4 |
| Pin Count | 4 |
| Transistor Material | Silicon |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet SCTWA70N120G2V-4
pdf, 213 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 28 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 1 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
