STD2N95K5, Транзистор N-MOSFET, полевой, 950В, 1,3А, 45Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
64 шт., срок 7-8 недель
1 200 ֏
от 10 шт. —
720 ֏
от 30 шт. —
620 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 200 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
STMicroelectronics SuperMESH High Voltage MOSFETs - Surface Mount
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 4.2Ом |
| Power Dissipation | 45Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Непрерывный Ток Стока | 2А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Рассеиваемая Мощность | 45Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 4.2Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 32.5 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 2 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 45 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 10 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.2 Ohms |
| Rise Time: | 13.5 ns |
| Series: | STD2N95K5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | SuperMESH |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20.5 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.5 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
