STD6N95K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
![Фото 1/3 STD6N95K5, Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A](https://static.chipdip.ru/lib/941/DOC039941047.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/064/DOC006064799.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC010614878.jpg)
500 шт. с центрального склада, срок 3-4 недели
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 17 шт. —
580 ֏
от 33 шт. —
510 ֏
от 65 шт. —
476 ֏
4 шт.
на сумму 2 640 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 950В 9A
Технические параметры
Корпус | DPAK/TO-252AA | |
Automotive | No | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Configuration | Single | |
ECCN (US) | EAR99 | |
EU RoHS | Compliant with Exemption | |
Lead Shape | Gull-wing | |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 9 | |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 1250@10V | |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 950 | |
Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 | |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±30 | |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 | |
Maximum IDSS (uA) | 1 | |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 | |
Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 | |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 | |
Mounting | Surface Mount | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Part Status | Active | |
PCB changed | 2 | |
Pin Count | 3 | |
PPAP | No | |
Process Technology | SuperMESH 5 | |
Product Category | Power MOSFET | |
Standard Package Name | TO-252 | |
Supplier Package | DPAK | |
Supplier Temperature Grade | Industrial | |
Tab | Tab | |
Typical Fall Time (ns) | 21 | |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 13 | |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 13@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 450@100V | |
Typical Rise Time (ns) | 12 | |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 33 | |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 | |
Brand: | STMicroelectronics | |
Channel Mode: | Enhancement | |
Configuration: | Single | |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 | |
Id - Continuous Drain Current: | 9 A | |
Manufacturer: | STMicroelectronics | |
Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
Mounting Style: | SMD/SMT | |
Number of Channels: | 1 Channel | |
Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) | |
Pd - Power Dissipation: | 90 W | |
Product Category: | MOSFET | |
Product Type: | MOSFET | |
Qg - Gate Charge: | 13 nC | |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.25 Ohms | |
Series: | STD6N95K5 | |
Subcategory: | MOSFETs | |
Technology: | Si | |
Tradename: | MDmesh | |
Transistor Polarity: | N-Channel | |
Transistor Type: | 1 N-Channel | |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 950 V | |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V | |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V | |
Вес, г | 0.584 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 12 августа1 | бесплатно |
HayPost | 15 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг