STN3N45K3, Trans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
![Фото 1/4 STN3N45K3, Trans MOSFET N-CH 450V 0.6A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC043735674.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/181/DOC007181996.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/357/DOC021357203.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/722/DOC041722089.jpg)
56000 шт., срок 8-10 недель
232 ֏
Кратность заказа 4000 шт.
от 12000 шт. —
214 ֏
Добавить в корзину 4000 шт.
на сумму 928 000 ֏
Альтернативные предложения5
Описание
Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 450В, 0,6А, 3Вт, SOT223 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
кол-во в упаковке | 4000 |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 4000 |
Id - Continuous Drain Current | 600 mA |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-223-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 2 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 6 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 3.8 Ohms |
RoHS | Details |
Series | N-channel MDmesh |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Type | SuperMesh3 Power MOSFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 450 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 3 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 600 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 3.8 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 450 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
Maximum Power Dissipation | 2 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-223 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
Width | 3.7mm |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
Fall Time: | 22 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 600 mA |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | SOT-223-4 |
Pd - Power Dissipation: | 3 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 9.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 4 Ohms |
Rise Time: | 5.4 ns |
Series: | STN3N45K3 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | SuperMESH |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
Type: | SuperMesh3 Power MOSFET |
Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 6.5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 450 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 30 августа1 | бесплатно |
HayPost | 3 сентября1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг