STB10NK60ZT4, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 5,7А; Idm: 36А; 115Вт; D2PAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 шт., срок 6-7 недель
3 600 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 600 ֏
Альтернативные предложения3
Описание
600V 10A 115W 750mΩ@10V,4.5A 4.5V@250uA N Channel TO-263-2 MOSFETs ROHS
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Fall Time: | 30 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 7.8 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Pd - Power Dissipation: | 115 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 750 mOhms |
| Rise Time: | 20 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Type: | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Вес, г | 1.92 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 18 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 21 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
