STD25N10F7, 100V 25A 35mOhm@10V,12.5A 40W N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs
![Фото 1/2 STD25N10F7, 100V 25A 35mOhm@10V,12.5A 40W N Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172973.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/164/DOC047164763.jpg)
820 шт., срок 5-6 недель
1 320 ֏
от 10 шт. —
800 ֏
от 30 шт. —
670 ֏
от 100 шт. —
610 ֏
1 шт.
на сумму 1 320 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
MOSFET, N-CH, 100V, 25A, 40W, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4.5
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.027Ом |
Power Dissipation | 40Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | STripFET VII DeepGATE |
Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
Непрерывный Ток Стока | 25А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4.5В |
Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.027Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand | STMicroelectronics |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 2500 |
Fall Time | 4.6 ns |
Id - Continuous Drain Current | 25 A |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature | +175 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-252-3 |
Packaging | Reel |
Pd - Power Dissipation | 40 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 14 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 35 mOhms |
Rise Time | 14 ns |
RoHS | Details |
Series | N-channel STripFET |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 14.8 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 9.8 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4.5 V |
Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1281 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг