STB47N60DM6AG, TO-263-3 MOSFETs

STB47N60DM6AG, TO-263-3 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
24 шт., срок 7-8 недель
8 500 ֏
от 10 шт.7 000 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 500 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8020506035
Бренд: STMicroelectronics

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.07Ом
Power Dissipation 250Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MDmesh DM6
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 600В
Непрерывный Ток Стока 36А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 250Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 0.07Ом
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Стиль Корпуса Транзистора TO-263(D2PAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Вес, г 1.61

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг