Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STF14N80K5, TO-220FP MOSFETs

STF14N80K5, TO-220FP MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

4889 шт., срок 7-8 недель

2 580 ֏

от 10 шт. — 1 830 ֏

от 50 шт. — 1 500 ֏

от 100 шт. — 1 320 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 580 ֏

Номенклатурный номер: 8020507333

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	1000
Fall Time:	10 ns
Id - Continuous Drain Current:	12 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	TO-220-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	30 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	22 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	445 mOhms
Rise Time:	8 ns
Series:	STF14N80K5
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	33 ns
Typical Turn-On Delay Time:	12.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	800 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Вес, г	2.45