STF18N65M2, 650V 12A 330mOhm@10V,6A 25W N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS

STF18N65M2, 650V 12A 330mOhm@10V,6A 25W N Channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
44 шт., срок 7-8 недель
1 960 ֏
от 10 шт.1 340 ֏
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 960 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8020510724
Бренд: STMicroelectronics

Описание

МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE

Технические параметры

Id - непрерывный ток утечки 12 A
Pd - рассеивание мощности 25 W
Qg - заряд затвора 20 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток 275 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
Vgs - напряжение затвор-исток 25 V, + 25 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
Вид монтажа Through Hole
Время нарастания 7.5 ns
Время спада 12.5 ns
Канальный режим Enhancement
Категория продукта МОП-транзистор
Количество каналов 1 Channel
Коммерческое обозначение MDmesh
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Подкатегория MOSFETs
Полярность транзистора N-Channel
Размер фабричной упаковки 1000
Серия STF18N65M2
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Тип транзистора 1 N-Channel
Типичное время задержки выключения 46 ns
Типичное время задержки при включении 11 ns
Торговая марка STMicroelectronics
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-220-3
Вес, г 2.61

Техническая документация

Datasheet STF18N65M2
pdf, 777 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 20 августа1 бесплатно
HayPost 23 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг