Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STL3N65M2, PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

STL3N65M2, PowerFLAT-8HV(3.3x3.3) MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

6 шт., срок 7-8 недель

2 580 ֏

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 2 580 ֏

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8020511191

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	21.5 ns
Id - Continuous Drain Current:	2.3 A
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package / Case:	PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
Pd - Power Dissipation:	22 W
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance:	1.6 Ohms
Rise Time:	3.4 ns
Series:	STL3N65M2
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Tradename:	MDmesh
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	17 ns
Typical Turn-On Delay Time:	6 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	650 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-25 V, +25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2 V
Вес, г	0.49