SCT50N120, Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 50А, Idm: 130А, 318Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 шт., срок 5-6 недель
36 500 ֏
1 шт.
на сумму 36 500 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, SiC, полевой, 1,2кВ, 50А, Idm: 130А, 318Вт Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.052Ом |
| Power Dissipation | 318Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Максимальная Рабочая Температура | 200°C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.2кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 65А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 318Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.052Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | HiP247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Channel Mode | Depletion |
| Maximum Continuous Drain Current | 65 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.59 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | HiP247 |
| Pin Count | 3 |
| Series | SCT |
| Transistor Material | SiC |
| Вес, г | 7.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 703 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 25 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 28 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
