STP12NK80Z, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 6,6А, 190Вт, TO220-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
113 шт., срок 7-8 недель
2 850 ֏
от 10 шт. —
2 090 ֏
от 50 шт. —
1 890 ֏
от 100 шт. —
1 770 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 850 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 6,6А, 190Вт, TO220-3 Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Case | TO220-3 |
| Drain current | 6.6A |
| Drain-source voltage | 800V |
| Features of semiconductor devices | ESD protected gate |
| Gate-source voltage | ±30V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.75Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 190W |
| Technology | SuperMesh™ |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Вес, г | 5.443 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 690 КБ
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
| HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
