STD3N80K5, 800V 2.5A 60W 3.5Ohm@10V,1A N Channel TO-252 MOSFETs

Фото 1/2 STD3N80K5, 800V 2.5A 60W 3.5Ohm@10V,1A N Channel TO-252 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1472 шт., срок 5-6 недель
1 410 ֏
от 10 шт.930 ֏
от 30 шт.770 ֏
от 100 шт.650 ֏
1 шт. на сумму 1 410 ֏
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8020649512
Бренд: STMicroelectronics

Описание

Стандартные продукты

Стандартные продукты STMicroelectronics представляют собой широкий спектр стандартных отраслевых и готовых замен для самых популярных аналоговых микросхем общего назначения, дискретных и последовательных EEPROM. Стандартные продукты производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, и многие из них сертифицированы AECQ для автомобильного применения. Полный набор вспомогательных средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, позволяет упростить добавление к проекту.

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 2.8Ом
Power Dissipation 60Вт
Квалификация -
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Линейка Продукции MDmesh K5
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 800В
Непрерывный Ток Стока 2.5А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs
Рассеиваемая Мощность 60Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 2.8Ом
Стиль Корпуса Транзистора TO-252(DPAK)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Brand: STMicroelectronics
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Fall Time: 25 ns
Id - Continuous Drain Current: 2.5 A
Manufacturer: STMicroelectronics
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation: 60 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 9.5 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.8 Ohms
Rise Time: 7.5 ns
Series: STD3N80K5
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: MDmesh
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20.5 ns
Typical Turn-On Delay Time: 8.5 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 800 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -30 V, +30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 4 V
Вес, г 0.48

Техническая документация

Datasheet
pdf, 861 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 25 августа1 бесплатно
HayPost 28 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг