STP13N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 7,6А, 190Вт, TO220-3
![Фото 1/5 STP13N80K5, Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 7,6А, 190Вт, TO220-3](https://static.chipdip.ru/lib/879/DOC043879292.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172664.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254662.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195402.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/254/DOC021254666.jpg)
30 шт., срок 7-8 недель
4 800 ֏
от 10 шт. —
3 780 ֏
от 30 шт. —
3 200 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 4 800 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 7,6А, 190Вт, TO220-3 Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.37Ом |
Power Dissipation | 190Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | MDmesh K5 |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
Непрерывный Ток Стока | 12А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Рассеиваемая Мощность | 190Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.37Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-220AB |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Brand: | STMicroelectronics |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
Fall Time: | 16 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 12 A |
Manufacturer: | STMicroelectronics |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 190 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 29 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 370 mOhms |
Rise Time: | 16 ns |
Series: | STP13N80K5 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | MDmesh |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
Channel Mode | Enhancement |
Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
Maximum Drain Source Resistance | 450 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 190 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-220 |
Pin Count | 3 |
Series | MDmesh K5, SuperMESH5 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Width | 4.6mm |
Вес, г | 1.95 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 20 августа1 | бесплатно |
HayPost | 23 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг